國家存儲器基地項目落在武漢，選址在哪里，此次國家存儲器基地一期二期進展如何了，國家存儲器基地是幾級？規(guī)劃面積多大，投資多少錢，國家存儲器基地這個還在進展當(dāng)中，三期有消息嗎，下面一起了解下吧。

國家存儲器項目落戶武漢

選址：武漢光谷（武漢市東西湖區(qū)未來二路以東, 未來三路以西, 科技五路以北）

國家存儲器基地項目

國家存儲器基地一期

基本情況：企業(yè)為長江存儲科技有限責(zé)任公司，新建芯片生產(chǎn)廠房、研發(fā)大樓及相關(guān)配套設(shè)施，建設(shè)產(chǎn)能為10萬片/月的先進存儲器產(chǎn)品生產(chǎn)線。

最新進展：國家存儲器項目一期總部研發(fā)大樓驗收工作，現(xiàn)已完成消防、質(zhì)量驗收，室外綠化工程正在施工，已基本完成;跨未來三路封閉連廊完成內(nèi)部裝修，已投入使用;未來館完成樁基施工及土方開挖，正在進行四層主體結(jié)構(gòu)施工。

國家存儲器基地二期

國家存儲器項目位于武漢東湖高新區(qū)武漢未來科技城，總投資1600億元，規(guī)劃建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND閃存制造廠房。預(yù)計2020年，整個項目完成，總產(chǎn)能將達(dá)到30萬片/月，年產(chǎn)值將超過100億美元。目前，長江存儲器基地一期已實現(xiàn)量產(chǎn)。

報道，湖北省政協(xié)委員、長江存儲科技有限責(zé)任公司人介紹，隨著國家存儲器基地項目一期的實施，區(qū)域產(chǎn)業(yè)帶動成效初顯。

當(dāng)前以及今后一段時間，他們的首要任務(wù)是推進產(chǎn)能爬坡，如期達(dá)成月產(chǎn)能10萬片，并盡快啟動二期建設(shè)，建成30萬片/月產(chǎn)能，提升國家存儲器基地的規(guī)模效應(yīng)，帶動全省產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

最新進展：6月20日上午，國家存儲器基地項目二期在武漢東湖高新區(qū)未來科技城國家存儲器基地建設(shè)工地開工建設(shè)

一期二期規(guī)劃

其中，一期主要實現(xiàn)技術(shù)突破，并建成10萬片/月產(chǎn)能;二期規(guī)劃產(chǎn)能20萬片/月，兩期項目達(dá)產(chǎn)后月產(chǎn)能共計30萬片